ABB 5SHY4045L0001 3BHB018162 Μονάδα IGCT πλακέτας μετατροπέα
Περιγραφή
Κατασκευή | ΥΦΑΔΙ |
Μοντέλο | 5SHY4045L0001 |
Πληροφορίες παραγγελίας | 3BHB018162 |
Κατάλογος | Ανταλλακτικά VFD |
Περιγραφή | ABB 5SHY4045L0001 3BHB018162 Μονάδα IGCT πλακέτας μετατροπέα |
Προέλευση | Ηνωμένες Πολιτείες (ΗΠΑ) |
Κωδικός HS | 85389091 |
Διάσταση | 16cm*16cm*12cm |
Βάρος | 0,8 κιλά |
Καθέκαστα
Το 5SHY4045L0001 3BHB018162R0001 είναι ένα ολοκληρωμένο προϊόν θυρίστορ με μεταγωγή πύλης (IGCT) της ABB, που ανήκει στη σειρά 5SHY.
Το IGCT είναι ένας νέος τύπος ηλεκτρονικής συσκευής που εμφανίστηκε στα τέλη της δεκαετίας του 1990.
Συνδυάζει τα πλεονεκτήματα του IGBT (μονωμένο διπολικό τρανζίστορ πύλης) και του GTO (θυρίστορ απενεργοποίησης πύλης) και έχει τα χαρακτηριστικά της γρήγορης ταχύτητας μεταγωγής, της μεγάλης χωρητικότητας και της μεγάλης απαιτούμενης ισχύος οδήγησης.
Συγκεκριμένα, η χωρητικότητα του 5SHY4045L0001 3BHB018162R0001 είναι ισοδύναμη με αυτή του GTO, αλλά η ταχύτητα μεταγωγής του είναι 10 φορές μεγαλύτερη από αυτή του GTO, πράγμα που σημαίνει ότι μπορεί να ολοκληρώσει τη δράση μεταγωγής σε συντομότερο χρόνο και έτσι να βελτιώσει την απόδοση μετατροπής ισχύος.
Επιπλέον, σε σύγκριση με το GTO, το IGCT μπορεί να σώσει το τεράστιο και περίπλοκο κύκλωμα snubber, το οποίο βοηθά στην απλοποίηση του σχεδιασμού του συστήματος και στη μείωση του κόστους.
Ωστόσο, πρέπει να σημειωθεί ότι αν και το IGCT έχει πολλά πλεονεκτήματα, η απαιτούμενη κινητήρια ισχύς εξακολουθεί να είναι μεγάλη.
Αυτό μπορεί να αυξήσει την κατανάλωση ενέργειας και την πολυπλοκότητα του συστήματος. Επιπλέον, αν και το IGCT προσπαθεί να αντικαταστήσει το GTO σε εφαρμογές υψηλής ισχύος, εξακολουθεί να αντιμετωπίζει έντονο ανταγωνισμό από άλλες νέες συσκευές (όπως το IGBT)
5SHY4045L00013BHB018162R0001 Integrated gate commutated transistors|GCT (Intergrated Gate commutated transistors) είναι μια νέα συσκευή ημιαγωγών ισχύος που χρησιμοποιείται σε γιγάντιο ηλεκτρονικό εξοπλισμό ισχύος που κυκλοφόρησε το 1996.
Το IGCT είναι μια νέα συσκευή διακόπτη ημιαγωγών υψηλής ισχύος βασισμένη στη δομή GTO, χρησιμοποιώντας ενσωματωμένη δομή πύλης για σκληρό δίσκο πύλης, χρησιμοποιώντας δομή μεσαίου στρώματος buffer και τεχνολογία διαφανούς εκπομπού ανόδου, με τα χαρακτηριστικά on-state του θυρίστορ και τα χαρακτηριστικά μεταγωγής του τρανζίστορ.
5SHY4045L000) 3BHBO18162R0001 χρησιμοποιεί δομή buffer και τεχνολογία ρηχών εκπομπών, η οποία μειώνει τη δυναμική απώλεια κατά περίπου 50%.
Επιπλέον, αυτός ο τύπος εξοπλισμού ενσωματώνει επίσης μια δίοδο ελεύθερου τροχού με καλά δυναμικά χαρακτηριστικά σε ένα τσιπ, και στη συνέχεια πραγματοποιεί τον οργανικό συνδυασμό της χαμηλής πτώσης τάσης στην κατάσταση, της υψηλής τάσης μπλοκαρίσματος και των χαρακτηριστικών σταθερής μεταγωγής του θυρίστορ με μοναδικό τρόπο.